DMP2008USS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP2008USS-13 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SO
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Vgs（最大）：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
159 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 38A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9mOhm @12A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
6820 pF @ 10 V
