DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMP2016UFDF-7 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 8 V
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type F)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
15mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1710 pF @ 10 V
