DMP2109UVTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
DMP2109UVTQ-13 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
供应商设备包：
TSOT-26
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
443 pF @ 10 V
