DMP65H11D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
DMP65H11D0HSS-13 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SO
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11Ohm @ 270mA, 10V
