DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H009SK3-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
91A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.1mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2028 pF @ 50 V
