DMT10H010LSSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
DMT10H010LSSQ-13 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SO
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.8V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
58.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4166 pF @ 50 V
