DMT10H032LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H032LK3-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta)
供应商设备包：
TO-252 (DPAK)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
26A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
