DMT10H052LFDF-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
DMT10H052LFDF-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5A (Ta)
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
52mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
258 pF @ 50 V
