DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
DMT10H075LE-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta)
供应商设备包：
SOT-223-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
65mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
