DMT10H9M9SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9SCT 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
供应商设备包：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.9V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.8mOhm @ 20A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
99A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 156W (Tc)
