DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
DMT12H007LPS-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
120 V
供应商设备包：
PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
49 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
2.9W
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.8mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3224 pF @ 60 V
