DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMT12H060LFDF-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.5V, 4.5V
包装/箱：
6-UDFN Exposed Pad
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.4A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
115 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
65mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 50 V
