DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
DMT12H090LFDF4-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs（最大）：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3.4A (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
115 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
3V, 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
251 pF @ 50 V
供应商设备包：
X2-DFN2020-6
包装/箱：
6-PowerXDFN
