DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
DMT3009UFVW-13 规格
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs（最大）：
±12V
供应商设备包：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
894 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
