DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT32M4LPSW-13 规格
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3944 pF @ 15 V
