DMT35M8LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
DMT35M8LDG-13 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
30V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerVDFN
配置：
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.9V @ 250µA
供应商设备包：
PowerDI3333-8 (Type G)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
功率 - 最大：
980mW (Ta), 2W (Tc)
