DMT6011LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50
DMT6011LPDW-13 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
配置：
2 N-Channel (Dual)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
漏源电压 (Vdss)：
60V
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
22.2nC @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10.3A (Ta), 40A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1072pF @ 30V
功率 - 最大：
2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
