DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
DMT6016LPSW-13 规格
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
864 pF @ 30 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
16.5mOhm @ 20A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
11.2A (Ta), 43A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.84W (Ta), 41.67W (Tc)
