DMT69M5LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT69M5LFVWQ-7 规格
年级：
Automotive
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
供应商设备包：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.3mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
28.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1406 pF @ 30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
14.8A (Ta), 40.6A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.74W (Ta), 20.5W (Tc)
