DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT8008SCT 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-220-3
漏源电压 (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
111A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta), 167W (Tc)
