DMTH10H009LFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFG-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerVDFN
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta)
供应商设备包：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
14A (Ta), 55A (Tc)
