DMTH10H025LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H025LPSWQ-13 规格
年级：
Automotive
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
21 nC @ 10 V
包装/箱：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
23mOhm @ 20A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9.3A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1477 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 79W (Tc)
