DMTH10H2M5STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H2M5STLW-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerSFN
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.5mOhm @ 30A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
215A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
124.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8450 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
供应商设备包：
POWERDI1012-8
