DMTH10H4M6SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH10H4M6SPSW-13 规格
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)：
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4327 pF @ 50 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
21A (Ta), 115A (Tc)
