DMTH6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
DMTH6005LFG-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerVDFN
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包：
POWERDI3333-8
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.38W (Ta), 75W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
19.7A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
48.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3150 pF @ 30 V
