DMTH6006LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
DMTH6006LPSW-13 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
8-PowerTDFN
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.5mOhm @ 20A, 10V
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type Q)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2162 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.88W (Ta), 100W (Tc)
