DMTH61M8LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH61M8LPSQ-13 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
包装/箱：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type K)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
225A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.6mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
8320 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
