DMTH63M6LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH63M6LPSWQ-13 规格
年级：
Automotive
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
包装/箱：
8-PowerTDFN
供应商设备包：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
105A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
3.3W (Ta), 84.7W (Tc)
