DMTH69M8LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMTH69M8LFVW-7 规格
安装类型：
Surface Mount, Wettable Flank
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Vgs（最大）：
±16V
供应商设备包：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
