DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWS120H100SM4 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
供应商设备包：
TO-247-4
包装/箱：
TO-247-4
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
15V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 15 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
37.2A (Tc)
Vgs（最大）：
+19V, -8V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
100mOhm @ 20A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1516 pF @ 1000 V
