DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q 规格
安装类型：
Through Hole
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
技术：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
供应商设备包：
TO-247-4
包装/箱：
TO-247-4
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.6V @ 17.7mA
Power Dissipation (Max)：
429W (Tc)
Vgs（最大）：
+19V, -8V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
28.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
156.3 nC @ 15 V
