DSC08065D1
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
DSC08065D1 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）：
650 V
速度：
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)：
0 ns
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Average Rectified (Io)：
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr：
230 µA @ 650 V
供应商设备包：
TO-252 (Type WX)
电容@Vr, F：
295pF @ 100mV, 1MHz
