ZXMN10B08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10B08E6QTA 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
供应商设备包：
SOT-26
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.2 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.3V, 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
230mOhm @ 1.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
497 pF @ 50 V
