DMN10H220LDV-13
MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H220LDV-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
222mOhm @ 2A, 10V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
6.7nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
366pF @ 50V
أقصى القوة：
1.8W (Ta), 40W (Tc)
