DMN2991UDR4-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN
DMN2991UDR4-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
500mA (Ta)
الحزمة / القضية：
6-XFDFN Exposed Pad
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
990mOhm @ 100mA, 4.5V
أقصى القوة：
380mW (Ta)
حزمة جهاز المورد：
X2-DFN1010-6 (Type UXC)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
0.28nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
14.6pF @ 16V
