DMT10H032LDV-13
MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
DMT10H032LDV-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
18A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
أقصى القوة：
1W (Ta)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
11.9nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
36mOhm @ 10A, 10V
