DMT10H072LDV-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H072LDV-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
12A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100V
إعدادات：
2 N-Channel
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
4.5nC @ 10V
أقصى القوة：
1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
228pF @ 50V
