DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
DMT47M2LDVQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
10.8mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
891pF @ 20V
أقصى القوة：
2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
