DMTH6015LPDWQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
DMTH6015LPDWQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
إعدادات：
2 N-Channel (Dual)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
20mOhm @ 10A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
14.3nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
825pF @ 30V
أقصى القوة：
2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
