DMG3401LSNQ-7
MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
DMG3401LSNQ-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs (máx.)：
±12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.3V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-59-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25.1 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max)：
800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1326 pF @ 15 V
