DMG4496SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMG4496SSSQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOP
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Vgs (máx.)：
±25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
10.2 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.42W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
493.5 pF @ 15 V
