DMN1019USNQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
DMN1019USNQ-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.2V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
800mV @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-59-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2426 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
680mW (Ta)
