DMN2029UVT-7
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TSOT-26
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
