DMN2055UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN2055UQ-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
400 pF @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.3 nC @ 4.5 V
