DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2310UFB4-7B Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Paquete / Estuche：
3-XFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
X2-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
710mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
175mOhm @ 1A, 4.5V
