DMN3016LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMN3016LFDFQ-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Paquete / Estuche：
6-UDFN Exposed Pad
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
730mW (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
U-DFN2020-6 (Type F)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1415 pF @ 15 V
