DMN39M1LFVW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN39M1LFVW-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount, Wettable Flank
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
87A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2387 pF @ 15 V
