DMN53D0LT-7
DIODE
DMN53D0LT-7 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
50 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
300mW (Ta)
Paquete / Estuche：
SOT-523
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-523
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
350mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.6 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
46 pF @ 25 V
