DMN62D4LFB-7B
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006
DMN62D4LFB-7B Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V, 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2Ohm @ 500mA, 10V
Paquete / Estuche：
3-UFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
X1-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
500mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.1 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
407mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40 pF @ 30 V
