DMN65D8LT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
DMN65D8LT-13 Specifications
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
5V, 10V
Power Dissipation (Max)：
300mW (Ta)
Paquete / Estuche：
SOT-523
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-523
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.4 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
210mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5Ohm @ 115mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
24 pF @ 25 V
